一種測量外延片的外延層厚度的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210340751.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114739300A 公開（公告）日 2022-07-12
申請公布號 CN114739300A 申請公布日 2022-07-12
分類號 G01B11/06（2006.01）I;H01L21/66（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 余先育;張興華;唐德明 申請（專利權）人 上海優(yōu)睿譜半導體設備有限公司
代理機構 上海智晟知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 200433上海市楊浦區(qū)國定路323號3層（集中登記地）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體技術領域，提出一種測量外延片的外延層厚度的方法，該方法為使用內(nèi)置參考片測量方法（FROC，F(xiàn)ixed Reference On Chuck），其中包括下列步驟：在載物臺上布置外延片，其中所述載物臺包括卡盤以及凸臺，所述凸臺與所述卡盤連接并從所述卡盤伸出，其中在所述凸臺上布置參考片，其中外延片布置在所述卡盤上；配置光譜測量系統(tǒng)的配方參數(shù)；通過所述光譜測量系統(tǒng)測量所述參考片的參考光譜，并且測量所述外延片的樣品光譜；根據(jù)所述參考光譜以及所述樣品光譜確定對照光譜；根據(jù)所述配方參數(shù)確定所述對照光譜的特征波段；以及根據(jù)所述特征波段確定所述外延片的外延層厚度。