一種K空穴摻雜的多晶SnSe及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610317305.4 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN105977372B 公開（公告）日 2018-12-04
申請公布號(hào) CN105977372B 申請公布日 2018-12-04
分類號(hào) H01L35/16;H01L35/34 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何佳清;陳躍星;葛振華;尹美杰;馮丹 申請（專利權(quán)）人 深圳熱電新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 深圳熱電新能源科技有限公司
地址 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)吉華街道甘李工業(yè)園甘李六路12號(hào)中海信創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)城13棟C501-510
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種K空穴摻雜的多晶SnSe及其制備方法，屬于能源材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的方法通過以高純的Sn、K和Sn單質(zhì)為原料，將原料通過改進(jìn)的機(jī)械合金化方法制備成化合物粉體，然后通過放電等離子燒結(jié)的方法，并調(diào)節(jié)機(jī)械合金化方法以及放電等離子燒結(jié)的工藝參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了鉀元素的有效摻雜，制備得到K空穴摻雜的多晶SnSe，其中，Sn、K和Se的原子比為Sn:K:Se＝1?x:x:1，0＜x≤0.1，其具有低的熱導(dǎo)率、高的載流子濃度、高的功率因子和ZT值，熱導(dǎo)率在773K可低至0.20W/mK，最高功率因子和最高熱電優(yōu)值ZT分別高達(dá)350μW/mK2和1.08，優(yōu)化了熱電性能，而且本發(fā)明的方法具有工藝簡便、成本低和實(shí)用性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。