一種K空穴摻雜的多晶SnSe及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610317305.4 申請日 -
公開（公告）號 CN105977372A 公開（公告）日 2016-09-28
申請公布號 CN105977372A 申請公布日 2016-09-28
分類號 H01L35/16(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何佳清;陳躍星;葛振華;尹美杰;馮丹 申請（專利權）人 深圳熱電新能源科技有限公司
代理機構 北京品源專利代理有限公司 代理人 南方科技大學;深圳熱電新能源科技有限公司
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)西麗學苑大道1088號南方科技大學第二科421
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種K空穴摻雜的多晶SnSe及其制備方法，屬于能源材料技術領域。本發(fā)明的方法通過以高純的Sn、K和Sn單質為原料，將原料通過改進的機械合金化方法制備成化合物粉體，然后通過放電等離子燒結的方法，并調節(jié)機械合金化方法以及放電等離子燒結的工藝參數，實現了鉀元素的有效摻雜，制備得到K空穴摻雜的多晶SnSe，其中，Sn、K和Se的原子比為Sn:K:Se＝1?x:x:1，0＜x≤0.1，其具有低的熱導率、高的載流子濃度、高的功率因子和ZT值，熱導率在773K可低至0.20W/mK，最高功率因子和最高熱電優(yōu)值ZT分別高達350μW/mK2和1.08，優(yōu)化了熱電性能，而且本發(fā)明的方法具有工藝簡便、成本低和實用性強等優(yōu)點。