銻化銦芯片的制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011383350.2 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112614912A | 公開（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申請公布號 | CN112614912A | 申請公布日 | 2021-04-06 |
| 分類號 | H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 鄭律;馬可軍;俞振中;門楠;陳占勝 | 申請（專利權(quán)）人 | 浙江森尼克半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京樂羽知行專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 孫承堯 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市蕭山區(qū)杭州灣信息港C座507 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請公開了一種銻化銦芯片的制備方法，該制備方法包括：制備一個(gè)第一預(yù)設(shè)厚度的n型銻化銦單晶晶圓；對所述銻化銦單晶晶圓的正面進(jìn)行化學(xué)腐蝕以除去第二預(yù)設(shè)厚度的損傷層；對所述銻化銦單晶晶圓的正面進(jìn)行半導(dǎo)體摻雜以使所述銻化銦單晶晶圓具有一個(gè)第一預(yù)設(shè)深度的p型層；對所述銻化銦單晶晶圓的p型層進(jìn)行光刻以形成芯片圖形；對所述銻化銦單晶晶圓的p型層進(jìn)行蒸鍍以形成芯片電極；用填充物填充至所述銻化銦單晶晶圓的正面并將所述銻化銦單晶晶圓反貼至一個(gè)基片；對所述銻化銦單晶晶圓的反面進(jìn)行減薄至預(yù)設(shè)位置。本申請的有益之處在于提供了一種能有效克服分凝系數(shù)以及加工誤差帶來的良率問題的銻化銦芯片的制備方法。?? |
