一種微電極陣列的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201611206553.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN106646048B | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-11-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106646048B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-11-12 |
| 分類(lèi)號(hào) | G01R31/00 | 分類(lèi) | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 吳天準(zhǔn);李騰躍;孫濱 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳市勃望初芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 郭曉宇 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道青春路啟迪協(xié)信科技園產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心3樓301-10 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種微電極陣列的制備方法，包括：制備基底；在基底上制備第一柔性絕緣襯底，并通過(guò)干法刻蝕的方法對(duì)第一柔性絕緣襯底進(jìn)行圖形化；在第一柔性絕緣襯底上制備金屬電連接結(jié)構(gòu)；在金屬電連接結(jié)構(gòu)上制備一介電層，并通過(guò)干法刻蝕的方法將介電層圖形化，使得介電層包裹住第一柔性絕緣襯底；在介電層上制備第二柔性絕緣襯底，并在第二柔性絕緣襯底上制備微電極陣列的金屬結(jié)構(gòu)；在微電極陣列的金屬結(jié)構(gòu)上制備第三層柔性絕緣襯底，并通過(guò)干法刻蝕的方法制備出微電極陣列的輪廓，釋放出金屬刺激電極點(diǎn)及焊接點(diǎn)，其中焊接點(diǎn)的通孔位置被刻穿，暴露出底層與其對(duì)應(yīng)的金屬電連接結(jié)構(gòu)；將微電極陣列的焊接點(diǎn)與金屬電連接結(jié)構(gòu)焊接到一起；去除基底。 |
