一種微電極陣列的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611206553.8 申請日 -
公開（公告）號 CN106646048A 公開（公告）日 2019-11-12
申請公布號 CN106646048A 申請公布日 2019-11-12
分類號 G01R31/00 分類 測量；測試;
發(fā)明人 吳天準(zhǔn);李騰躍;孫濱 申請（專利權(quán)）人 深圳市勃望初芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭曉宇
地址 518055 廣東省深圳市南山區(qū)西麗大學(xué)城學(xué)苑大道1068號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種微電極陣列的制備方法，包括：制備基底；在基底上制備第一柔性絕緣襯底，并通過干法刻蝕的方法對第一柔性絕緣襯底進(jìn)行圖形化；在第一柔性絕緣襯底上制備金屬電連接結(jié)構(gòu)；在金屬電連接結(jié)構(gòu)上制備一介電層，并通過干法刻蝕的方法將介電層圖形化，使得介電層包裹住第一柔性絕緣襯底；在介電層上制備第二柔性絕緣襯底，并在第二柔性絕緣襯底上制備微電極陣列的金屬結(jié)構(gòu)；在微電極陣列的金屬結(jié)構(gòu)上制備第三層柔性絕緣襯底，并通過干法刻蝕的方法制備出微電極陣列的輪廓，釋放出金屬刺激電極點(diǎn)及焊接點(diǎn)，其中焊接點(diǎn)的通孔位置被刻穿，暴露出底層與其對應(yīng)的金屬電連接結(jié)構(gòu)；將微電極陣列的焊接點(diǎn)與金屬電連接結(jié)構(gòu)焊接到一起；去除基底。