半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811085662.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109192724A 公開(kāi)（公告）日 2019-01-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN109192724A 申請(qǐng)公布日 2019-01-11
分類(lèi)號(hào) H01L27/02;H01L29/861;H01L21/329 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 南京智悟智能科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市蘭鋒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 深圳市心版圖科技有限公司;南京溧水高新創(chuàng)業(yè)投資管理有限公司
地址 518000 廣東省深圳市羅湖區(qū)桂園街道寶安南路都市名園B棟第五層B區(qū)B14
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，包括：第一導(dǎo)電類(lèi)型的襯底；形成于所述襯底的上表面的第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一外延層；形成于所述第一外延層的部分上表面的第一導(dǎo)電類(lèi)型的第二外延層；形成于所述第二外延層的上表面的第二導(dǎo)電類(lèi)型的第三外延層；形成于所述第三外延層的上表面的第一導(dǎo)電類(lèi)型的第四外延層；第一介質(zhì)層；第二導(dǎo)電類(lèi)型的第一摻雜區(qū)；形成于所述第一摻雜區(qū)的上表面的第一導(dǎo)電類(lèi)型的第五外延層；第二介質(zhì)層；與所述第四外延層及所述第五外延層電連接的正面金屬層；與所述襯底電連接的背面金屬層。所述半導(dǎo)體器件具有雙向、低電容及缺陷少的特點(diǎn)。