半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811085662.8 申請日 -
公開（公告）號 CN109192724B 公開（公告）日 2019-01-11
申請公布號 CN109192724B 申請公布日 2019-01-11
分類號 H01L27/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 南京智悟智能科技有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 深圳峰誠志合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 南京溧水高新創(chuàng)業(yè)投資管理有限公司
地址 210000江蘇省南京市溧水經(jīng)濟開發(fā)區(qū)柘塘街道福田路科創(chuàng)大廈
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，包括：第一導(dǎo)電類型的襯底；形成于所述襯底的上表面的第一導(dǎo)電類型的第一外延層；形成于所述第一外延層的部分上表面的第一導(dǎo)電類型的第二外延層；形成于所述第二外延層的上表面的第二導(dǎo)電類型的第三外延層；形成于所述第三外延層的上表面的第一導(dǎo)電類型的第四外延層；第一介質(zhì)層；第二導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)；形成于所述第一摻雜區(qū)的上表面的第一導(dǎo)電類型的第五外延層；第二介質(zhì)層；與所述第四外延層及所述第五外延層電連接的正面金屬層；與所述襯底電連接的背面金屬層。所述半導(dǎo)體器件具有雙向、低電容及缺陷少的特點。??