射頻識別標簽芯片的存儲器讀取電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210389989.0 申請日 -
公開（公告）號 CN103700403B 公開（公告）日 2017-07-18
申請公布號 CN103700403B 申請公布日 2017-07-18
分類號 G11C16/10;G11C16/26 分類 信息存儲;
發(fā)明人 孔維新;趙海波;王彬;于躍 申請（專利權(quán)）人 江蘇稻源科技集團有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 211400 江蘇省儀征市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)閩泰大道9號A座4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種射頻識別標簽芯片的存儲器讀取電路，屬于集成電路(IC)設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域。讀取電路包括：高壓隔離MOS晶體管，并且還包括：用于控制所述高壓隔離MOS晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)的柵極控制電路模塊、和電容自舉電路模塊，電容自舉電路模塊用于抬升所述柵極控制電路模塊的輸出電壓，以使高壓隔離MOS晶體管在讀操作時導(dǎo)通、并且使所述高壓隔離MOS晶體管傳輸至所述存儲器的電壓大于或等于偏置在該讀取電路上的所述讀電壓。該存儲器讀取電路在諸如RFID標簽芯片的正常電源電壓的低電壓條件下實現(xiàn)讀操作，讀操作準確、靈敏，并且電路結(jié)構(gòu)簡單、讀操作功耗小。