射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片的存儲(chǔ)器讀取電路
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201210389989.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN103700403B | 公開(公告)日 | 2017-07-18 |
申請公布號(hào) | CN103700403B | 申請公布日 | 2017-07-18 |
分類號(hào) | G11C16/10;G11C16/26 | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
發(fā)明人 | 孔維新;趙海波;王彬;于躍 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇稻源科技集團(tuán)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 211400 江蘇省儀征市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)閩泰大道9號(hào)A座4樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種射頻識(shí)別標(biāo)簽芯片的存儲(chǔ)器讀取電路,屬于集成電路(IC)設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域。讀取電路包括:高壓隔離MOS晶體管,并且還包括:用于控制所述高壓隔離MOS晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)的柵極控制電路模塊、和電容自舉電路模塊,電容自舉電路模塊用于抬升所述柵極控制電路模塊的輸出電壓,以使高壓隔離MOS晶體管在讀操作時(shí)導(dǎo)通、并且使所述高壓隔離MOS晶體管傳輸至所述存儲(chǔ)器的電壓大于或等于偏置在該讀取電路上的所述讀電壓。該存儲(chǔ)器讀取電路在諸如RFID標(biāo)簽芯片的正常電源電壓的低電壓條件下實(shí)現(xiàn)讀操作,讀操作準(zhǔn)確、靈敏,并且電路結(jié)構(gòu)簡單、讀操作功耗小。 |
