一種提高溝槽MOS結(jié)構(gòu)肖特基二極管性能的工藝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110366686.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113517193B 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN113517193B 申請公布日 2022-03-11
分類號 H01L21/329（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳曉倫;許柏松;韓笑;孟軍;朱濤 申請（專利權(quán)）人 江蘇新順微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 上海申浩律師事務(wù)所 代理人 龔敏
地址 214431江蘇省無錫市江陰市長山大道78號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。一種提高溝槽MOS結(jié)構(gòu)肖特基二極管性能的工藝方法，步驟一，取完成溝槽刻蝕的硅基片，濕法工藝去除硅基片正面硅表面二氧化硅層及其他介質(zhì)層；步驟二，采用LPCVD工藝淀積生長一薄層摻氧多晶硅層；步驟三，采用LPCVD工藝淀積一薄層氮化硅層；步驟四，采用LPCVD工藝淀積一層無摻雜多晶硅層；步驟五，采用爐管熱氧化工藝，對淀積的多晶硅層進行氧化，反應(yīng)形成二氧化硅；步驟六，采用CVD工藝淀積原位摻雜的多晶硅，最終獲得了器件所需的硅溝槽MOS結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提高了介質(zhì)層的厚度均勻性，降低了介質(zhì)層生長過程中產(chǎn)生的缺陷，降低了介質(zhì)層內(nèi)電荷密度，器件性能得到提升。