一種提升背面金屬化質(zhì)量的晶圓蒸發(fā)盤
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202120353426.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN214612740U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN214612740U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-11-05 |
| 分類號(hào) | C23C14/50（2006.01）I;C23C14/24（2006.01）I;H01L21/285（2006.01）I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 徐占勤;王德波;陳鵬捷 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇新順微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 江陰市輕舟專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 孫燕波 |
| 地址 | 214400江蘇省無(wú)錫市江陰市高新區(qū)長(zhǎng)山大道78號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種提升背面金屬化質(zhì)量的晶圓蒸發(fā)盤，屬于集成電路或分立器件制造技術(shù)領(lǐng)域。包括蒸發(fā)盤本體，所述蒸發(fā)盤本體上表面開(kāi)設(shè)置物槽，所述蒸發(fā)盤本體上套有TFL環(huán)，且所述TFL環(huán)設(shè)于置物槽上部，所述TFL環(huán)上設(shè)有晶圓，所述TFL環(huán)與晶圓為線接觸。所述置物槽的縱截面為漏斗型。所述TFL環(huán)的上環(huán)面為向內(nèi)傾斜的斜面結(jié)構(gòu)件。本申請(qǐng)中蒸發(fā)盤本體上套設(shè)TFL環(huán)，晶圓放于TFL環(huán)上，且晶圓與TFL環(huán)線接觸，減小了晶圓與TFL環(huán)的接觸面積，提高了晶圓的利用率；由于TFL質(zhì)地較軟，避免了晶圓正面管芯與蒸發(fā)盤本體置物槽的摩擦，避免了晶圓正面管芯壓擦傷，提高了產(chǎn)品良率。 |
