雙極晶體管集成高壓啟動電阻的器件結(jié)構(gòu)及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110308047.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113161351B 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN113161351B 申請公布日 2022-03-11
分類號 H01L27/06（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許柏松;陳曉倫;徐永斌;葉新民;沈曉東;朱瑞;趙飛;歐應(yīng)輝;任艷炯 申請（專利權(quán)）人 江蘇新順微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 上海申浩律師事務(wù)所 代理人 趙建敏
地址 214431江蘇省無錫市江陰市長山大道78號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了雙極晶體管集成高壓啟動電阻的器件結(jié)構(gòu)及制造方法。雙極晶體管集成高壓啟動電阻的器件結(jié)構(gòu)，包括襯底；襯底的上方設(shè)有高阻區(qū)；高阻區(qū)上開設(shè)有第一窗口，第一窗口內(nèi)形成有第一填充層；第一窗口與第二窗口相鄰設(shè)置，第二窗口內(nèi)形成有第二填充層；高阻區(qū)的邊緣以及第二填充層內(nèi)開設(shè)有第三窗口，第三窗口內(nèi)形成有第三填充層；還包括一覆蓋在高阻區(qū)上方的氧化層，氧化層內(nèi)埋設(shè)有多晶硅條從內(nèi)至外螺旋狀設(shè)置的多晶硅層；第一金屬層與位于高阻區(qū)邊緣的第三填充層以及多晶硅層短接；第二金屬層與多晶硅層以及第二填充層短接；第三金屬層與位于第二填充層內(nèi)的第三填充層短接。通過集成高壓上電啟動電阻，提高器件的集成度，降低電路的成本。