一種氮化硼納米片@碳化硅納米線異質(zhì)填料及制備方法和環(huán)氧樹脂導熱復合材料及制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110066640.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112759790B | 公開(公告)日 | 2022-07-01 |
申請公布號 | CN112759790B | 申請公布日 | 2022-07-01 |
分類號 | C08K3/38(2006.01)I;C08K3/34(2006.01)I;C08L63/00(2006.01)I | 分類 | 有機高分子化合物;其制備或化學加工;以其為基料的組合物; |
發(fā)明人 | 顧軍渭;韓懿鑫;郭永強 | 申請(專利權(quán))人 | 西北工業(yè)大學深圳研究院 |
代理機構(gòu) | 北京高沃律師事務所 | 代理人 | - |
地址 | 518051廣東省深圳市南山區(qū)科技園高新南四道19號虛擬大學園A311室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及納米材料技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種氮化硼納米片@碳化硅納米線異質(zhì)填料的制備方法。本發(fā)明通過原位生長法在氮化硼納米片上原位生長碳化硅納米線,構(gòu)筑制備“鳥巢狀”異質(zhì)結(jié)構(gòu),這種特殊形貌的異質(zhì)結(jié)構(gòu)使其在作為導熱填料使用時,更易在環(huán)氧樹脂基體中搭接形成高效的導熱通路,可以在添加少量填料的情況下提高環(huán)氧樹脂的導熱性能;同時導熱填料之間基于化學鍵合作用也有效避免更多界面熱障的引入和導熱填料團聚現(xiàn)象的發(fā)生,可以進一步提高環(huán)氧樹脂的導熱性能。實驗結(jié)果表明,本發(fā)明提供的方法制備的氮化硼納米片@碳化硅納米線異質(zhì)填料與環(huán)氧樹脂復合得到的導熱復合材料的熱導率高達1.17W/mK,能夠大幅度地提高環(huán)氧樹脂的熱導率。 |
