一種N層集成二極管半導體場效應晶體管器件結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201720464757.5 申請日 -
公開（公告）號 CN207183272U 公開（公告）日 2018-04-03
申請公布號 CN207183272U 申請公布日 2018-04-03
分類號 H01L27/105;H01L29/78;H01L29/861 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任留濤 申請（專利權）人 上海超致半導體科技有限公司
代理機構 上海宏京知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 上海超致半導體科技有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)自由貿易試驗區(qū)蔡倫路1690號2號樓405室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型的一種N層集成二極管半導體場效應晶體管器件結構，器件結構包括基地金屬層、N型襯底層、N型外延層、P層、外接金屬連接層。P層上設有柵極、源極、漏極。N型襯底層上設有二極管。二極管周邊設有與N型襯底層、基地金屬層相絕緣的絕緣體層?；亟饘賹由显O有穿孔，二極管的一端從穿孔中穿出與漏極相連接，二極管的另一端直接與基地金屬層相連接，通過基地金屬層與源極相連接。在N型襯底層上加裝一個二極管并直接將二極管與源極、漏極相連接。從而解決了現(xiàn)有技術中因增加二極管反并聯(lián)連接而帶來的安裝成本的問題。