改良型低功率超結(jié)金屬柵場效應(yīng)晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201720465976.5 申請日 -
公開（公告）號 CN206878000U 公開（公告）日 2018-01-12
申請公布號 CN206878000U 申請公布日 2018-01-12
分類號 H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任留濤 申請（專利權(quán)）人 上海超致半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海宏京知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海超致半導(dǎo)體科技有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)蔡倫路1690號2號樓405室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種改良型低功率超結(jié)金屬柵場效應(yīng)晶體管，包括N+襯底層和至少二個設(shè)于N+襯底層頂面上的N?耐壓漂移層；所述N?耐壓漂移層的底部兩側(cè)設(shè)有P?電荷補(bǔ)償區(qū)，所述N?耐壓漂移層的頂部設(shè)有包裹N?耐壓漂移層的肖特基二極管，所述N?耐壓漂移層的頂面設(shè)有柵極溝槽、源極P+體區(qū)和漏極P+體區(qū)，所述柵極溝槽延伸至N?耐壓漂移層內(nèi)，所述源極P+體區(qū)和漏極P+體區(qū)分別設(shè)于柵極溝槽的兩側(cè)，所述源極P+體區(qū)的頂面上設(shè)有N+源區(qū)，所述漏極P+體區(qū)的頂面上設(shè)有N+漏區(qū)；所述柵極溝槽中設(shè)有多晶硅填充溝槽；所述多晶硅填充溝槽上設(shè)有柵電極；所述柵電極中至少有一個柵電極的頂端設(shè)于肖特基二極管內(nèi)，所述柵電極中至少有一個柵電極的頂端外露于肖特基二極管。