一種P層集成二極管半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201720464756.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN207183271U | 公開（公告）日 | 2018-04-03 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN207183271U | 申請(qǐng)公布日 | 2018-04-03 |
| 分類號(hào) | H01L27/07 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 任留濤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海超致半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海宏京知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 上海超致半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蔡倫路1690號(hào)2號(hào)樓405室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型的一種P層集成二極管半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)，器件結(jié)構(gòu)包括基地金屬層、N型襯底層、N型外延層、P層、外接金屬連接層。P層上設(shè)有柵極、源極、漏極、二極管周邊設(shè)有與柵極、源極、漏極相隔離的絕緣體層二極管的一端與漏極相連接，二極管的另一端與源極相連接。在P層上加裝一個(gè)二極管并直接將二極管與源極、漏極相連接。從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中因增加二極管反并聯(lián)連接而帶來的安裝成本的問題。 |
