場(chǎng)效應(yīng)管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201720466945.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN206878005U | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-01-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN206878005U | 申請(qǐng)公布日 | 2018-01-12 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 任留濤;李菲;禹久贏 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海超致半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海宏京知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 上海超致半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蔡倫路1690號(hào)2號(hào)樓405室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種場(chǎng)效應(yīng)管，包括：P型襯底；所述P型襯底上表面設(shè)有N型外延層，所述N型外延層上部設(shè)有柵極溝槽，所述N型外延層表面有氧化層，所述柵極溝槽內(nèi)設(shè)有多晶硅柵；所述溝槽兩側(cè)形成有P型阱和N型有源區(qū)，且所述N型有源區(qū)位于P型阱的上方，所述氧化層上部涂覆有防護(hù)層，所述防護(hù)層中設(shè)有連接至N型有源區(qū)的接觸孔。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于制備。能夠有效保護(hù)氧化層在加工過(guò)程中免于腐蝕，保證場(chǎng)效應(yīng)管的耐壓能力。 |
