超結金屬柵場效應晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201720464754.1 申請日 -
公開（公告）號 CN206877996U 公開（公告）日 2018-01-12
申請公布號 CN206877996U 申請公布日 2018-01-12
分類號 H01L27/06;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任留濤 申請（專利權）人 上海超致半導體科技有限公司
代理機構 上海宏京知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 上海超致半導體科技有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)蔡倫路1690號2號樓405室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種超結金屬柵場效應晶體管，包括肖特基二極管和超結MOSFET；所述超結MOSFET包括由上至下依次設置的N+源區(qū)外延層、P+體區(qū)外延層、N?耐壓漂移層和N+襯底層，所述N+源區(qū)外延層的邊緣處開設有肖特基溝槽，所述N+源區(qū)外延層的中心開有柵極溝槽，所述肖特基溝槽的底部和所述柵極溝槽的底部均位于所述N?耐壓漂移層內(nèi)；所述N?耐壓漂移層的邊緣設有P?電荷補償區(qū)，所述P?電荷補償區(qū)位于所述肖特基溝槽的底部；所述超結MOSFET的漏極的鋁線寬度隨電流減小而逐漸變窄，所述超結MOSFET的源極的鋁線寬度隨電流減小而逐漸變窄，所述超結MOSFET的漏極的鋁線和源極的鋁線之間交叉布線。