一種基于極坐標矢量計算光刻模型的方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911288282.9 申請日 -
公開（公告）號 CN110703438B 公開（公告）日 2020-04-17
申請公布號 CN110703438B 申請公布日 2020-04-17
分類號 G02B27/00;G03F7/20 分類 光學;
發(fā)明人 陳雪蓮;周潔云;崔紹春 申請（專利權(quán)）人 墨研計算科學（南京）有限公司
代理機構(gòu) 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 墨研計算科學（南京）有限公司
地址 210031 江蘇省南京市江北新區(qū)星火路9號軟件大廈B座407-80室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及半導體生產(chǎn)的光刻工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種基于極坐標矢量計算光刻模型的方法及裝置。本申請?zhí)峁┮环N基于極坐標矢量計算光刻模型的方法，包括：確定光源的極化類型；基于所述極化類型，建立進入光瞳的入射光線場強的傳輸矩陣，所述傳輸矩陣描述入射光線場強的傳輸變化；基于所述光源的極化類型和所述入射光線場強的傳輸關(guān)系，建立矢量計算光刻模型得到描述物理光學的多個交叉?zhèn)鬟f函數(shù)；基于所述物理光學的多個交叉?zhèn)鬟f函數(shù)計算矢量光刻模型在光阻層上的光強分布。