一種適用于NRZ和PAM4高速信號(hào)分析的AC電容建模方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911420199.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111177993A 公開（公告）日 2020-05-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN111177993A 申請(qǐng)公布日 2020-05-19
分類號(hào) G06F30/367 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 陳懿;魯成;吳博文;朱振鋒;周飛飛;簡(jiǎn)松 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無錫市同步電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫華源專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 代理人 無錫市同步電子科技有限公司
地址 214000 江蘇省無錫市清源路18號(hào)太湖國際科技園傳感網(wǎng)大學(xué)科技園530大廈C207-2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種適用于NRZ和PAM4高速信號(hào)分析的AC電容建模方法，涉及建模技術(shù)領(lǐng)域，該方法結(jié)合AC電容的外形尺寸數(shù)據(jù)和內(nèi)部截面數(shù)據(jù)進(jìn)行3D建模，同時(shí)通過電容值、S參數(shù)和TDR曲線修正直至建模精度符合要求，該方法可以建立高精度的AC電容模型、最大程度接近真實(shí)模型，滿足NRZ和PAM4在56GHz領(lǐng)域信號(hào)仿真分析的需要，同時(shí)由于該方法更貼近實(shí)際電容結(jié)構(gòu)，電容內(nèi)部寄生參數(shù)可以直接建模獲得、而不再通過外部迭代等效，因此電容模型的校準(zhǔn)難度也大大下降。