一種半導(dǎo)體晶圓表面處理裝置及處理方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110176974.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN112894515B | 公開(公告)日 | 2021-12-21 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112894515B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-21 |
分類號(hào) | B24B7/22(2006.01)I;B24B55/06(2006.01)I;B24B41/06(2012.01)I;B24B47/12(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 分類 | 磨削;拋光; |
發(fā)明人 | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江蘇永鼎股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 東莞市神州眾達(dá)專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 劉漢民 |
地址 | 212511 江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)來秀路新黎路113號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體晶圓表面處理裝置及處理方法,包括底板、驅(qū)動(dòng)裝置、固定裝置、支撐架、打磨裝置和吸附裝置;所述的底板上端面中部設(shè)置有驅(qū)動(dòng)裝置,位于驅(qū)動(dòng)裝置的上端均勻設(shè)置有固定裝置,底板的上端面左側(cè)位置設(shè)置有支撐架,支撐架的上端內(nèi)壁分別設(shè)置有打磨裝置和吸附裝置;本發(fā)明可以解決目前的晶圓在加工中由于晶圓較小,晶圓表面加工的過程中容易凹凸不平,從而影響晶圓的加工質(zhì)量;晶圓固定的過程中不穩(wěn)定;影響晶圓表面打磨的平整性;晶圓進(jìn)行打磨加工過程中產(chǎn)生的顆粒物飄飛,影響周圍空氣質(zhì)量;以及晶圓打磨多為單個(gè)打磨,其打磨加工效率低下嚴(yán)重影響晶圓的加工效率等問題。 |
