一種碳化硅半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320525244.2 申請日 -
公開（公告）號 CN203423185U 公開（公告）日 2014-02-05
申請公布號 CN203423185U 申請公布日 2014-02-05
分類號 H01L29/423(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃國華;馮明憲;門洪達;張偉;王坤池;周月 申請（專利權(quán)）人 廈門天睿電子有限公司
代理機構(gòu) 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 代理人 廈門天睿電子有限公司;黃國華
地址 361100 福建省廈門市翔安區(qū)翔星路88號臺灣科技企業(yè)育成中心強業(yè)樓507室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種碳化硅半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底、緩沖層和導(dǎo)電外延層，在所述導(dǎo)電外延層上設(shè)有柵電極和源極，所述柵電極包括柵介質(zhì)層和多晶硅層，在所述導(dǎo)電外延層內(nèi)設(shè)有阱區(qū)，在所述阱區(qū)內(nèi)設(shè)有源區(qū)，其特征在于：所述柵介質(zhì)層包括下層二氧化硅層、位于下層二氧化硅層上的氮化硅層、位于氮化硅層上端的上層二氧化硅層。本實用新型所提出的碳化硅半導(dǎo)體器件能夠保證器件柵源耐壓滿足產(chǎn)品規(guī)范和應(yīng)用要求，同時能夠得到較低的界面態(tài)濃度以及穩(wěn)定的閾值電壓。