一種碳化硅MOSFET器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310377625.5 申請日 -
公開（公告）號 CN103681256B 公開（公告）日 2016-12-07
申請公布號 CN103681256B 申請公布日 2016-12-07
分類號 H01L21/04(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃國華;馮明憲;門洪達(dá);張偉;王坤池;周月 申請（專利權(quán)）人 廈門天睿電子有限公司
代理機構(gòu) 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 代理人 廈門天睿電子有限公司;黃國華
地址 361100 福建省廈門市翔安區(qū)翔星路88號臺灣科技企業(yè)育成中心強業(yè)樓507室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種新型碳化硅MOSFET器件及其制作方法，包括碳化硅襯底、緩沖層和位于緩沖層上的導(dǎo)電外延層，在所述導(dǎo)電外延層上設(shè)有柵電極和源極，所述柵電極包括柵介質(zhì)層，在所述導(dǎo)電外延層內(nèi)設(shè)有阱區(qū)和第一類雜質(zhì)離子區(qū)，在所述阱區(qū)內(nèi)設(shè)有第二類雜質(zhì)離子區(qū)，所述柵電極還包括金屬層，所述金屬層位于所述柵介質(zhì)層的下面。