頻率源的溫度補償參數(shù)確定方法和裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010873945.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111884589B 公開（公告）日 2021-11-05
申請公布號 CN111884589B 申請公布日 2021-11-05
分類號 H03B5/04（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 賈涵陽;侯中原 申請（專利權(quán)）人 硅谷數(shù)模（蘇州）半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 黃海英
地址 215000江蘇省蘇州市高新區(qū)竹園路209號4號樓1801
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種頻率源的溫度補償參數(shù)確定方法和裝置。該方法包括：獲取預(yù)設(shè)數(shù)量的目標(biāo)型號芯片的片內(nèi)頻率源的溫度補償斜率的均值，并將溫度補償斜率的均值確定為目標(biāo)型號芯片的片內(nèi)頻率源的溫度補償斜率；獲取待測芯片的片內(nèi)頻率源在第一溫度下的工作頻率，其中，待測芯片為目標(biāo)型號的芯片；基于目標(biāo)型號芯片的片內(nèi)頻率源的溫度補償斜率、第一溫度以及第一溫度下的工作頻率，確定待測芯片的片內(nèi)頻率源的溫度補償偏置參數(shù)；將溫度補償斜率和溫度補償偏置參數(shù)確定為待測芯片的片內(nèi)頻率源的溫度補償參數(shù)。通過本申請，解決了相關(guān)技術(shù)中采用機臺批量加熱芯片以校準(zhǔn)芯片的片上頻率源的溫度補償參數(shù)，耗時長、成本高的問題。