頻率源的溫度補(bǔ)償參數(shù)確定方法及裝置
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010872871.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN112003608B | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-12-14 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112003608B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-14 |
分類號(hào) | H03L1/02(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 李旭東;賈涵陽(yáng);侯中原 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 硅谷數(shù)模(蘇州)半導(dǎo)體股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 黃海英 |
地址 | 215000江蘇省蘇州市高新區(qū)竹園路209號(hào)4號(hào)樓1801 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種頻率源的溫度補(bǔ)償參數(shù)確定方法及裝置。該方法包括:獲取待測(cè)芯片的片內(nèi)頻率源在第一溫度下的第一工作頻率;采用待測(cè)芯片在工作過(guò)程中產(chǎn)生的功耗對(duì)待測(cè)芯片加熱,直至待測(cè)芯片在預(yù)設(shè)時(shí)段內(nèi)保持在目標(biāo)溫度區(qū)間內(nèi);在目標(biāo)溫度區(qū)間內(nèi)獲取第二溫度,并獲取待測(cè)芯片的片內(nèi)頻率源在第二溫度下的第二工作頻率,其中,第二溫度大于第一溫度;基于第一溫度、第一工作頻率、第二溫度、第二工作頻率以及一階擬合公式,確定待測(cè)芯片的片內(nèi)頻率源的溫度補(bǔ)償參數(shù)。通過(guò)本申請(qǐng),解決了相關(guān)技術(shù)中采用機(jī)臺(tái)批量加熱芯片以校準(zhǔn)芯片的片上頻率源的溫度補(bǔ)償參數(shù),耗時(shí)長(zhǎng)、成本高的問(wèn)題。 |
