一種光學(xué)路徑可控高導(dǎo)熱、低電阻的VCSEL制作方法及VCSEL
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111356425.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114204414A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114204414A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-18 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 方照詒 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳市嘉敏利光電有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市道勤知酷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 何兵 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福保社區(qū)紅柳道2號(hào)順豐工業(yè)廠(chǎng)房1層B125 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種光學(xué)路徑可控高導(dǎo)熱、低電阻的VCSEL制作方法及VCSEL，其中該方法包括以下步驟：將MQW層上方的主要DBRAlxiGa1?xiAs/AlyGa1?yAs（xi>y，0≤y≤1，且xi由上至下逐漸變大）中高Al％組分AlxiGa1?xiAs的部分進(jìn)行完全氧化，使其轉(zhuǎn)變成Al2O3，在所需的光學(xué)路徑上形成AlxiGa1?xiAs/AlyGa1?yAs DBR堆疊結(jié)構(gòu)并使所述AlxiGa1?xiAs/AlyGa1?yAs DBR堆疊結(jié)構(gòu)從上至下逐漸變窄，同時(shí)通過(guò)控制較臨近MQW的低Al％組分AlzGa1?zAs的氧化速率，繼而控制中心未被氧化的AlzGa1?zAs電流孔徑的大小，其中Al％組分滿(mǎn)足z>xi>y；將外圍部分完全氧化所形成的Al2O3以化學(xué)刻蝕方式去除，保留光學(xué)路徑的AlxiGa1?xiAs/AlyGa1?yAs DBR堆疊結(jié)構(gòu)；去除外圍部分的Al2O3所形成的空間以原子層沉積、濺鍍、蒸鍍及電鍍中的一種或多種組合方式填充歐姆金屬，以形成低電阻的電學(xué)導(dǎo)通路徑。 |
