一種高折射率對比DBR的倒裝VCSEL結(jié)構(gòu)及其工藝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111357669.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114188816A 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN114188816A 申請公布日 2022-03-15
分類號 H01S5/024（2006.01）I;H01S5/183（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 方照詒 申請（專利權(quán)）人 深圳市嘉敏利光電有限公司
代理機構(gòu) 深圳市道勤知酷知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 何兵
地址 518000廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福保社區(qū)紅柳道2號順豐工業(yè)廠房1層B125
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高折射率對比DBR的倒裝VCSEL結(jié)構(gòu)及其工藝方法，以歐姆金屬取代了部分Al2O3，散熱襯底、AlGaAs/歐姆金屬所形成的高導(dǎo)熱、低電阻導(dǎo)通路徑，使得光學(xué)路徑和電學(xué)路徑分離。Al2O3/AlyGa1?yAs DBR形成的堆疊結(jié)構(gòu)可以減少DBR層對數(shù)，改變了以最高Al組分作為電流孔徑限制層的做法，使得電學(xué)性能和光學(xué)性能得到顯著提高，提高了轉(zhuǎn)換效率及總輸出功率。