IGBT器件及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010212687.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113451398A 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN113451398A 申請公布日 2021-09-28
分類號 H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹功勛;仵嘉;張敏 申請（專利權(quán)）人 芯合電子（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 焦健
地址 201206上海市浦東新區(qū)金滬路1270號1幢218室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種IGBT器件，在IGBT器件背面的過渡區(qū)及終端區(qū)的緩沖層與集電極之間增加一層二氧化硅層，二氧化硅層與硅接觸面存在界面態(tài)，從而降低了空穴壽命，二氧化硅層還具有吸硼排磷的特性，進(jìn)而降低了IGBT芯片過渡區(qū)和終端區(qū)背面集電極的摻雜濃度，進(jìn)而降低了IGBT芯片過渡區(qū)和終端區(qū)背面P型集電極的發(fā)射效率，提高IGBT芯片的可靠性。本發(fā)明的二氧化硅層通過在背面進(jìn)行氧離子注入，再借助正面工藝的高溫過程，使氧離子注入層轉(zhuǎn)換為二氧化硅層，工藝簡單易于實(shí)施。