一種基于離子注入的GaN功率器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201720734390.4 申請日 -
公開（公告）號 CN206907738U 公開（公告）日 2018-01-19
申請公布號 CN206907738U 申請公布日 2018-01-19
分類號 H01L21/265;H01L29/06;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/778 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任遠;陳志濤;劉曉燕;劉寧煬;劉久澄;李葉林 申請（專利權(quán)）人 鶴山市世拓電子科技有限公司
代理機構(gòu) 廣東世紀專利事務(wù)所 代理人 廣東省半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院
地址 510651 廣東省廣州市天河區(qū)長興路363號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種基于離子注入的GaN功率器件，包括GaN緩沖層、GaN溝道層和AlGaN勢壘層，AlGaN勢壘層上設(shè)有源電極、柵電極和漏電極，源電極和漏電極均為歐姆接觸，柵電極為肖特基接觸，各電極之間設(shè)有鈍化層，AlGaN勢壘層與GaN溝道層為異質(zhì)結(jié)構(gòu)且在兩者的界面處由于極化效應而形成有作為GaN功率器件橫向工作導電溝道的二維電子氣，GaN緩沖層中通過離子注入形成有離子隔離區(qū)，離子隔離區(qū)位于GaN緩沖層的上部，GaN緩沖層中設(shè)置了離子隔離區(qū)后而在GaN緩沖層的底面鍵合有高導熱襯底。本實用新型采用在GaN緩沖層中通過離子注入形成有隔離區(qū)，將GaN溝道與GaN緩沖層隔離開，從而減少了器件漏電流并提高擊穿電壓。