一種制備晶體坯的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022456111.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN213925118U 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號(hào) CN213925118U 申請公布日 2021-08-10
分類號(hào) C30B15/00（2006.01）I;C30B29/28（2006.01）I;H01S3/16（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳貽斌;劉革命;秦海明 申請（專利權(quán)）人 贛州虔東激光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 341000江西省贛州市章貢區(qū)水東鎮(zhèn)虔東大道289號(hào)（5#車間）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型一種制備晶體坯的裝置，屬于激光晶體制備技術(shù)領(lǐng)域。所述一種制備晶體坯的裝置包括刮刀（3），所述刮刀（3）自收集罩（6）內(nèi)側(cè)的頂點(diǎn)延伸至收集罩（6）底端且緊貼收集罩（6）內(nèi)表面和/或位于收集罩（6）內(nèi)表面近處。不斷運(yùn)動(dòng)的刮刀3將冷凝在收集罩6內(nèi)表面的晶體原料刮落到熔融的晶體原料表面并熔化于熔融的晶體原料中，形成動(dòng)態(tài)平衡；減少了晶體坯制作過程中晶體原料組成因易揮發(fā)物質(zhì)的變化而變化，晶體坯中鎵等易揮發(fā)元素含量穩(wěn)定，可以忽略因揮發(fā)導(dǎo)致的組分偏離，能在晶體生長過程中保持鎵等含量的穩(wěn)定，更有利于生長出高質(zhì)量的含鎵晶體等優(yōu)點(diǎn)。