基于硅襯底無(wú)犧牲層的非制冷紅外焦平面陣列的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200610066888.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN100452350C 公開(kāi)（公告）日 2009-01-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN100452350C 申請(qǐng)公布日 2009-01-14
分類號(hào) H01L21/822(2006.01);H01L27/14(2006.01);B81C1/00(2006.01);B81B7/02(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 石莎莉;陳大鵬;景玉鵬;毆毅;董立軍;葉甜春 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州紅芯電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 周國(guó)城
地址 100029北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種基于硅襯底無(wú)犧牲層的非制冷紅外焦平面陣列，其與反光板連接的懸臂梁固支在利用各向同性腐蝕出的近似契型硅柱上，其陣列中單元結(jié)構(gòu)分為獨(dú)立式和嵌套式。該非制冷紅外焦平面陣列器件的工藝步驟如下：1、在<100>硅基片上淀積氮化硅薄膜；2、在正面氮化硅薄膜表面光刻，表面淀積鉻薄膜，剝離；3、刻蝕氮化硅薄膜，去鉻，清洗處理表面；4、在圖形表面光刻，表面淀積金薄膜，剝離，在支撐懸臂梁上形成厚的間隔鍍金；5、繼續(xù)在圖形表面光刻，表面淀積金薄膜，剝離，在反光板上形成薄的鍍金；6、正面腐蝕硅襯底，形成近似契型硅柱來(lái)支撐懸臂梁，同時(shí)釋放懸臂梁和反光板薄膜形成非制冷紅外焦平面陣列。