單層雙材料微懸臂梁熱隔離焦平面陣列的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200510011988.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN1884039A 公開(kāi)（公告）日 2006-12-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN1884039A 申請(qǐng)公布日 2006-12-27
分類號(hào) B81C1/00(2006.01) 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 李超波;陳大鵬;葉甜春;王瑋冰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州紅芯電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 周國(guó)城
地址 100029北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種單層雙材料微懸臂梁熱隔離焦平面陣列的制作方法，包括：1.在單晶硅基片上雙面生長(zhǎng)氮化硅薄膜；2.用加熱的氫氧化鉀溶液各向異性腐蝕氮化硅；3.在正面甩正性光刻膠；4.在背面甩正性光刻膠，光學(xué)光刻背面窗口圖形；5.各向異性刻蝕有光刻圖形面；6.去除光刻膠；7.在正面甩正性光刻膠，光學(xué)光刻正面氮化硅梁圖形；8.在有光刻圖形的一面蒸發(fā)、剝離鉻薄膜；9.各向異性刻蝕有鉻薄膜覆蓋的氮化硅；10.各向同性腐蝕去除鉻薄膜；11.在有氮化硅梁圖形的正面甩正性光刻膠，光學(xué)光刻正面隔離金圖形；12.蒸發(fā)、剝離金；13.用加熱的氫氧化鉀溶液各向異性腐蝕基片，完成鏤空的雙材料微懸臂梁熱隔離結(jié)構(gòu)焦平面陣列的制作。