一種具有強(qiáng)制p型表面態(tài)的InAs/GaSb二類超晶格光探測(cè)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910039088.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109768100B 公開(kāi)（公告）日 2022-02-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN109768100B 申請(qǐng)公布日 2022-02-15
分類號(hào) H01L31/0304（2006.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/109（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 詹健龍;宋禹析 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江焜騰紅外科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 丁鵬
地址 314000浙江省嘉興市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)昌盛南路36號(hào)嘉興智慧產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新園10號(hào)樓104室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有強(qiáng)制p型表面態(tài)的InAs/GaSb二類超晶格光探測(cè)器，所述InAs/GaSb二類超晶格光探測(cè)器的吸收區(qū)為p型，所述吸收區(qū)的能帶結(jié)構(gòu)依次包括有超晶格導(dǎo)帶、超晶格價(jià)帶、體導(dǎo)帶、體價(jià)帶，在吸收區(qū)的能帶結(jié)構(gòu)中，吸收區(qū)的表面態(tài)位于超晶格價(jià)帶頂?shù)纳戏降c超晶格價(jià)帶頂?shù)拈g隙小于3kBT，或者表面態(tài)位于超晶格價(jià)帶頂?shù)南路?，其中kB是玻爾茲曼常數(shù)，T是InAs/GaSb二類超晶格光探測(cè)器的工作溫度。本發(fā)明的InAs/GaSb二類超晶格光探測(cè)器表面態(tài)位于與超晶格價(jià)帶頂?shù)纳戏降c超晶格價(jià)帶頂?shù)拈g隙小于3kBT，或者表面態(tài)位于與超晶格價(jià)帶頂?shù)南路剑沟帽砻鎽B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閜型，與吸收區(qū)同型，從而消除表面SRH暗電流，提高探測(cè)器的性能。