一種氮化鋁陶瓷襯底VCSEL芯片及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111211651.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114204403A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114204403A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01S5/02（2006.01）I;H01S5/024（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I;H01S5/183（2006.01）I;H01S5/30（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 詹健龍;徐春朝;姜昆;郭飛 申請（專利權(quán)）人 浙江焜騰紅外科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 程開生
地址 314000浙江省嘉興市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)昌盛南路36號嘉興智慧產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新園10號樓104室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氮化鋁陶瓷襯底VCSEL芯片及其制作方法，VCSEL芯片包括有氮化鋁陶瓷層，氮化鋁陶瓷層的下表面設(shè)有P電極和N電極，P電極和N電極之間設(shè)有絕緣層，氮化鋁陶瓷層的上表面依次設(shè)有P?DBR和N?DBR，P?DBR內(nèi)設(shè)有穿孔，穿孔內(nèi)設(shè)有N型金屬接觸層，氮化鋁陶瓷層中設(shè)有N型導(dǎo)通孔金屬柱，氮化鋁陶瓷層與P?DBR之間設(shè)有P型金屬接觸層，氮化鋁陶瓷層中設(shè)有P型導(dǎo)通孔金屬柱，N?DBR的上表面設(shè)有若干出光孔，N?DBR的上表面還設(shè)有隔離緩沖層。本發(fā)明去除全部GaAs襯底，用氮化鋁陶瓷直接與外延層鍵合。氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱系數(shù)是GaAs的幾倍，提升了VCSEL芯片的散熱效果。避免了由芯片尺寸增加，襯底減薄導(dǎo)致的一系列問題。本發(fā)明可以提升芯片的散熱性及可靠性。