毫米波太赫茲頻段極低損耗介質(zhì)薄膜及表面金屬化方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011506780.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112635948A 公開（公告）日 2021-04-09
申請公布號 CN112635948A 申請公布日 2021-04-09
分類號 H01P7/10;H01P11/00;G03F1/00;G03F7/16;G03F7/20;G03F7/38 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡龍珠;洪偉;蔣之浩;陳暉 申請（專利權(quán)）人 南京銳碼毫米波太赫茲技術(shù)研究院有限公司
代理機構(gòu) 南京瑞弘專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 沈廉
地址 211111 江蘇省南京市江寧區(qū)秣周東路9號無線谷中心樓二樓9205室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種毫米波太赫茲頻段極低損耗介質(zhì)薄膜及表面金屬化方法。該介質(zhì)薄膜以柔性環(huán)烯烴共聚物薄膜(1)為基底，在柔性環(huán)烯烴共聚物薄膜(1)的下面設(shè)置作為支撐層的硅片(2)，在柔性環(huán)烯烴共聚物薄膜(1)的上面設(shè)置金屬層(3)，所述柔性環(huán)烯烴共聚物薄膜(1)屬于環(huán)烯烴共聚物，在毫米波太赫茲頻段具有極低的介質(zhì)損耗，在該介質(zhì)薄膜表面形成穩(wěn)定可靠的金屬化太赫茲電路結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)基于環(huán)烯烴共聚物介質(zhì)薄膜的毫米波太赫茲電路。實現(xiàn)基于環(huán)烯烴共聚物新型介質(zhì)薄膜的毫米波太赫茲電路，對該新型介質(zhì)薄膜在毫米波太赫茲的應(yīng)用具有重要的意義。