一種無(wú)鉛有機(jī)無(wú)機(jī)陽(yáng)離子共同雜化鈣鈦礦材料及其薄膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201611110421.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106601917B 公開（公告）日 2019-05-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN106601917B 申請(qǐng)公布日 2019-05-17
分類號(hào) H01L51/46（2006.01）I; H01L51/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬瑞新; 王成彥; 李士娜; 武東; 趙衛(wèi)爽; 馬梓瑞 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣州光鼎科技集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 廣州光鼎科技集團(tuán)有限公司
地址 510450 廣東省廣州市中新廣州知識(shí)城鳳凰三路8號(hào)2號(hào)樓2401房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種無(wú)鉛有機(jī)無(wú)機(jī)陽(yáng)離子共同雜化鈣鈦礦材料及其薄膜的制備方法，所述無(wú)鉛有機(jī)無(wú)機(jī)陽(yáng)離子共同雜化鈣鈦礦材料由甲氨基或乙氨基等有機(jī)陽(yáng)離子與Rb或Cs等無(wú)機(jī)陽(yáng)離子共同雜化BiI3獲得，并采用磁控濺射法制得無(wú)鉛有機(jī)無(wú)機(jī)陽(yáng)離子共同雜化鈣鈦礦薄膜。本發(fā)明涉及太陽(yáng)能光電材料、半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，以Bi取代Pb成為鈣鈦礦材料的中心離子，避免鈣鈦礦材料對(duì)環(huán)境的潛在污染，此外，Bi與有機(jī)無(wú)機(jī)陽(yáng)離子共同雜化得到的鈣鈦礦材料具有較低的帶隙，有利于電子躍遷，提高光電轉(zhuǎn)化效率。