非易失性存儲單元的參考電流確定方法、裝置及存儲介質(zhì)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110509589.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113409855A 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN113409855A 申請公布日 2021-09-17
分類號 G11C16/30（2006.01）I;G11C16/26（2006.01）I;G11C5/14（2006.01）I;G11C29/50（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 安友偉;馬亮;楊小龍 申請（專利權(quán)）人 珠海博雅科技股份有限公司
代理機構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 黃英杰
地址 519000 廣東省珠海市唐家灣鎮(zhèn)大學路101號清華科技園創(chuàng)業(yè)大樓A座A1106-1107單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種非易失性存儲單元的參考電流確定方法、裝置及存儲介質(zhì)，其中，參考電流確定方法包括：接收測試機發(fā)送的測試參考電流指令，測試參考電流指令包括最小擋位數(shù)；生成若干擋互不相同的參考電流值；遍歷參考電流值對存儲芯片執(zhí)行讀操作，并分別對存儲芯片進行讀操作校驗，記錄能夠通過校驗的參考電流值的擋位數(shù)量、最大參考電流值和最小參考電流值；當擋位數(shù)量大于或等于最小電流擋位數(shù)，根據(jù)最大參考電流值和最小參考電流值確定應(yīng)用于存儲芯片的最佳參考電流值。應(yīng)用本發(fā)明的方法，可以使得生產(chǎn)工藝不同的存儲芯片能夠根據(jù)自身內(nèi)部實際情況設(shè)置參考電流值，從而彌補了生產(chǎn)工藝波動等因素帶來的性能差異，提高芯片的可靠性。