一種存儲(chǔ)芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011251334.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112366138B 公開（公告）日 2022-04-29
申請公布號 CN112366138B 申請公布日 2022-04-29
分類號 H01L21/48（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 秦玲 申請（專利權(quán)）人 湖南中科存儲(chǔ)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳泛航知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄧愛軍
地址 412007 湖南省株洲市天元區(qū)黃河北路272號幸福大廈1601（03）室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)芯片封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法包括以下步驟：在第一載板上設(shè)置第一封裝層、第一線路層、第一存儲(chǔ)芯片、控制芯片和第二存儲(chǔ)芯片；接著在所述第一封裝層上設(shè)置第二封裝層、第二線路層、第三存儲(chǔ)芯片、緩存芯片和第四存儲(chǔ)芯片；接著在所述第二封裝層上設(shè)置第三封裝層、第三線路層、第五存儲(chǔ)芯片和第六存儲(chǔ)芯片；接著在所述第三封裝層上設(shè)置第四封裝層、第四線路層、第七存儲(chǔ)芯片和第八存儲(chǔ)芯片；接著去除所述第一載板，接著在各封裝層中形成暴露各存儲(chǔ)芯片的背面的多個(gè)第一凹槽，并在所述第一封裝層中形成暴露所述第一線路層的多個(gè)第二凹槽，接著在所述第一、第二凹槽中分別形成散熱柱和導(dǎo)電柱。