一種多芯片半導(dǎo)體封裝及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110017729.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112802760B 公開（公告）日 2022-05-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN112802760B 申請(qǐng)公布日 2022-05-06
分類號(hào) H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫德瑞 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖南中科存儲(chǔ)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳泛航知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄧愛軍
地址 412007 湖南省株洲市天元區(qū)黃河北路272號(hào)幸福大廈1601（03）室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種多芯片半導(dǎo)體封裝及其形成方法，在對(duì)塑封樹脂層進(jìn)行固化處理的過程中，通過分段固化處理，可以有效抑制硅基晶體管在固化過程中產(chǎn)生硅懸空鍵，通過先在氧氣氛圍中使得硅基晶體管充分產(chǎn)生硅懸空鍵，進(jìn)而通過在氮?dú)獾姆諊袩崽幚磉^程以使得氧氣完全排出，進(jìn)而在后續(xù)的固化過程中通過不同的氫氣氛圍進(jìn)行充分的熱處理，進(jìn)而使得硅基晶體管表面的硅懸空鍵充分的轉(zhuǎn)化為硅氫鍵，進(jìn)而有效提高硅基晶體管的穩(wěn)定性。