一種高介電常數(shù)電極箔的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210047048.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114446667A 公開（公告）日 2022-05-06
申請公布號 CN114446667A 申請公布日 2022-05-06
分類號 H01G9/055（2006.01）I;H01G9/00（2006.01）I;H01G13/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王建中;何桂麗;金學軍;王貴州;肖飛;宋雙喜;龔煜 申請（專利權）人 南通海一電子有限公司
代理機構 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 王素琴
地址 226000江蘇省南通市通州區(qū)平潮鎮(zhèn)通揚南路518號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及電容器制造技術領域，公開了一種高介電常數(shù)電極箔的制備方法，包括以下步驟：將腐蝕箔浸泡在氟鈦酸銨的水溶液中，通過浸泡過程中的參數(shù)調控，在腐蝕箔表面生成一層厚度≤1.0 nm的二氧化鈦氧化層，通過預化成在其上形成一層薄的三氧化二鋁層，再浸泡在氟鈦酸銨的水溶液中，生成新的二氧化鈦氧化層。該方法獲得的復合膜層既有效提升了復合膜中二氧化鈦的含量，又不會因為結晶顆粒過大而導致漏電流增大。相比于一般化成工藝，利用本發(fā)明公開方法制備的高介電常數(shù)鋁電極箔容量提升為15~30%。