一種GaInP/GaInAs/Ge太陽電池一次濕法臺階刻蝕工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111271441.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113889553A 公開（公告）日 2022-01-04
申請公布號 CN113889553A 申請公布日 2022-01-04
分類號 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0725（2012.01）I;H01L31/0735（2012.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許軍;鐵劍銳;韓志剛;趙拓 申請（專利權(quán)）人 天津恒電空間電源有限公司
代理機構(gòu) 天津市鼎和專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 蒙建軍
地址 300384天津市濱海新區(qū)濱海高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)華科七路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種GaInP/GaInAs/Ge太陽電池一次濕法臺階刻蝕工藝，屬于太陽電池技術(shù)領(lǐng)域，包括：S1、對晶圓進行預(yù)烘；S2、在晶圓表面涂覆用于圖形轉(zhuǎn)移的光刻膠；S3、對晶圓進行前烘處理；S4、對晶圓進行曝光，將掩膜版上的臺階圖形轉(zhuǎn)移至光刻膠膠膜上；S5、將膠膜上潛在的圖形通過顯影技術(shù)制備出來；S6、將所述晶圓在高溫下堅膜；S7、將所述晶圓在一次濕法刻蝕液中進行ⅢⅤ族有源層刻蝕，形成臺階結(jié)構(gòu)；S8、所述晶圓通過去膠清洗工藝完成一次濕法臺階刻蝕工藝全過程。本發(fā)明輔以光刻、顯影、刻蝕和清洗工藝的簡單、高效、低成本制備臺階工藝技術(shù)。