一種金屬-氧化層-柵極電容器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110665747.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113571499A 公開（公告）日 2021-10-29
申請公布號 CN113571499A 申請公布日 2021-10-29
分類號 H01L23/64（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳漢明;陳春章;胡煜 申請（專利權(quán)）人 芯創(chuàng)智創(chuàng)新設(shè)計(jì)服務(wù)中心（寧波）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天悅專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 田明;楊方
地址 315000浙江省寧波市鄞州區(qū)學(xué)士路642弄2號卓悅大廈7樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種金屬?氧化層?柵極電容器及其制備方法，包括以下步驟：在半導(dǎo)體襯底上覆蓋第一絕緣層；在第一絕緣層的表面形成導(dǎo)電層；在導(dǎo)電層的表面上氣相沉積第二層絕緣層；對第二層絕緣層進(jìn)行蝕刻，形成對導(dǎo)電層的局部暴露，同時(shí)形成接觸孔；對接觸孔的開口進(jìn)行金屬填充，形成翅片結(jié)構(gòu)，作為電容器的底板電極即柵極柱；對圍繞柵極柱的第二層絕緣層進(jìn)行蝕刻，使柵極柱從第二絕緣層突出，圍繞柵極柱形成溝槽；在第二層絕緣層和柵極柱的表面上氣相沉積絕緣介電層；在絕緣介電層上沉積并覆蓋一層襯底金屬層；在襯底金屬層上沉積并覆蓋一層主體金屬層，形成電容器的上極板電極。本發(fā)明可用于傳統(tǒng)半導(dǎo)體平面制備和最先進(jìn)的FinFET制備技術(shù)。