非對(duì)稱高場(chǎng)強(qiáng)離子遷移譜分析儀遷移管過(guò)濾器及其加工方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210274583.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102820200B 公開(kāi)（公告）日 2015-07-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN102820200B 申請(qǐng)公布日 2015-07-15
分類號(hào) H01J49/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 盧小冬;于秀蘭 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫中科沃譜瑞科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京永創(chuàng)新實(shí)專利事務(wù)所 代理人 無(wú)錫中科沃譜瑞科技有限責(zé)任公司
地址 214135 江蘇省無(wú)錫市無(wú)錫新區(qū)太湖國(guó)際科技園菱湖大道200號(hào)微納傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園C-3樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種非對(duì)稱高場(chǎng)強(qiáng)離子遷移譜分析儀遷移管過(guò)濾器及其實(shí)現(xiàn)方法，本發(fā)明使用濕法刻蝕和硅片鍵合相結(jié)合的技術(shù)，加工的FAIMS遷移管過(guò)濾器包括結(jié)構(gòu)相同的、鍵合連接的第一硅片和第二硅片，第一硅片包括硅片本體及其上順次加工的第一氧化層、包括至少3組相互絕緣的金屬圖形的第一金屬圖形層、第二氧化層、包括至少3組相互絕緣的金屬圖形的第二金屬圖形層，第三氧化層以及至少一組腔體，第一硅片和所述第二硅片的厚度為30～100微米，本發(fā)明能夠在普通高壓集成電路工藝基礎(chǔ)上，使用濕法刻蝕技術(shù)，在規(guī)范電場(chǎng)電極的作用下，得到合格的FAIMS過(guò)濾區(qū)電場(chǎng)。除了顯著降低FAIMS過(guò)濾器的加工成本外，還能夠獲得更高的離子檢出精度。