薄膜晶體管及其制造方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811441985.6 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN111244186A | 公開(公告)日 | 2020-06-05 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN111244186A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-06-05 |
分類號(hào) | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 高金字;李韋鑫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 中華映管股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京中譽(yù)威圣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 席勇;董云海 |
地址 | 中國臺(tái)灣桃園市龍?zhí)秴^(qū)325華映路1號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管及其制造方法,薄膜晶體管,包含基板、柵極、柵極介電層、圖案化半導(dǎo)體層、源極、漏極、阻光層及介電層。柵極配置于基板上,而柵極介電層配置于柵極上。圖案化半導(dǎo)體層配置于柵極介電層上。源極及漏極分別配置于圖案化半導(dǎo)體層的不同側(cè),并電性連接圖案化半導(dǎo)體層。阻光層配置于圖案化半導(dǎo)體層上,且直接接觸圖案化半導(dǎo)體層,其中阻光層為非金屬材料所制成。介電層覆蓋阻光層、源極及漏極。?? |
