薄膜晶體管及其制造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201811441985.6 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111244186A | 公開（公告）日 | 2020-06-05 |
| 申請公布號 | CN111244186A | 申請公布日 | 2020-06-05 |
| 分類號 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 高金字;李韋鑫 | 申請（專利權）人 | 中華映管股份有限公司 |
| 代理機構 | 北京中譽威圣知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人 | 席勇;董云海 |
| 地址 | 中國臺灣桃園市龍?zhí)秴^(qū)325華映路1號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管及其制造方法，薄膜晶體管，包含基板、柵極、柵極介電層、圖案化半導體層、源極、漏極、阻光層及介電層。柵極配置于基板上，而柵極介電層配置于柵極上。圖案化半導體層配置于柵極介電層上。源極及漏極分別配置于圖案化半導體層的不同側，并電性連接圖案化半導體層。阻光層配置于圖案化半導體層上，且直接接觸圖案化半導體層，其中阻光層為非金屬材料所制成。介電層覆蓋阻光層、源極及漏極。?? |
