數(shù)組襯底的制造方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811312197.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN111211136A | 公開(公告)日 | 2020-05-29 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN111211136A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-05-29 |
分類號(hào) | H01L27/12;H01L21/77 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 陸富財(cái);王豪;余彥霖;邱奕勛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 中華映管股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 吳志紅;臧建明 |
地址 | 中國(guó)臺(tái)灣桃園市龍?zhí)秴^(qū)華映路1號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種數(shù)組襯底的制造方法,包括以下步驟。形成主動(dòng)組件于襯底上。形成第一絕緣層于所述主動(dòng)組件上。形成共通電極層于所述第一絕緣層上。形成第二絕緣層于所述共通電極層上。在所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層中形成第一接觸窗,以暴露出部分的所述主動(dòng)組件。形成導(dǎo)電層于所述第二絕緣層上,其中所述導(dǎo)電層填入于所述第一接觸窗中。形成第三絕緣層于所述導(dǎo)電層上。在第三絕緣層中形成第二接觸窗以暴露出部分的所述導(dǎo)電層。形成像素電極層于所述第三絕緣層上,其中所述像素電極層填入于所述第二接觸窗中。本發(fā)明提供的數(shù)組襯底的制造方法可確保像素電極層與主動(dòng)組件電性連接而提升良率。 |
