一種用于雙電源靜電保護(hù)的SCR
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111514024.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114220855A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114220855A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-22 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/74（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 鄧樟鵬 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 戴廣志 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易區(qū)祖沖之路1399號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種用于雙電源靜電保護(hù)的SCR，位于P型襯底內(nèi)的P阱和N阱；P阱和N阱邊緣彼此緊靠，N阱內(nèi)設(shè)有第一P+區(qū)、第一N+區(qū)以及第四P+區(qū)；P阱內(nèi)設(shè)有第二P+區(qū)、第二N+區(qū)以及第三N+區(qū)；P阱和所述N阱的分界處設(shè)有第三P+區(qū)；第一P+區(qū)和第一N+區(qū)共同連接至第一電壓；第四P+區(qū)和第三N+區(qū)共同連接至第二電壓；第二P+區(qū)、第二N+區(qū)共同接地。本發(fā)明對(duì)常規(guī)LVTSCR結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化，在常規(guī)LVTSCR的基礎(chǔ)上，通過(guò)在N阱中增加P+區(qū)，在P阱中增加N+區(qū)，并把N+區(qū)，P+區(qū)短接到第二電壓上，從而實(shí)現(xiàn)雙電源的保護(hù)，并且本發(fā)明的結(jié)構(gòu)也可以用于雙IO間的ESD保護(hù)，也可以用于一電源一IO之間的ESD保護(hù)。 |
