IGBT器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111398478.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114188398A 公開（公告）日 2022-03-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN114188398A 申請(qǐng)公布日 2022-03-15
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 潘嘉;張同博;孫鵬;楊繼業(yè);邢軍軍;陳沖;黃璇;姚一平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 戴廣志
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)祖沖之路1399號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種IGBT器件，包括：襯底、位于所述襯底上的外延層、多個(gè)阻擋結(jié)構(gòu)、多個(gè)柵極、多個(gè)基極區(qū)和發(fā)射極區(qū)。所述外延層中形成有多個(gè)溝槽；各阻擋結(jié)構(gòu)均位于各溝槽的底部；各柵極均填充各溝槽；各基極區(qū)均位于外延層中并且均位于兩兩相鄰的柵極之間；發(fā)射極區(qū)位于基極區(qū)中。本發(fā)明還提供一種IGBT器件的制造方法。本申請(qǐng)通過在所述柵極的底部設(shè)置所述阻擋結(jié)構(gòu)，可以增加所述柵極的底部的對(duì)應(yīng)外延層區(qū)域的電勢(shì)，從而可以阻擋器件背面的集電極區(qū)注入的空穴。進(jìn)一步的，位于所述柵極底部的所述阻擋結(jié)構(gòu)增加了所述外延層中的空穴的濃度，可以降低IGBT器件的導(dǎo)通壓降，從而提升IGBT器件的整體FOM（優(yōu)值系數(shù)）。