一種HBT器件及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111318855.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114188405A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114188405A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-15 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/10（2006.01）I;H01L29/737（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳曦;黃景豐;楊繼業(yè) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 戴廣志 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)祖沖之路1399號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種HBT器件的制造方法，包括：提供一其上形成有重?fù)诫s層和多個(gè)場(chǎng)氧化層的襯底；形成集電區(qū)；形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層中形成有第一開(kāi)口；形成基區(qū)，并在所述基區(qū)生長(zhǎng)過(guò)程中進(jìn)行P型離子的在位摻雜；形成第二介質(zhì)層；刻蝕所述第二介質(zhì)層至所述基區(qū)表面以形成第二開(kāi)口以及形成發(fā)射區(qū)，所述發(fā)射區(qū)具有N型摻雜；其中，在形成所述基區(qū)之后的任意一步驟之前，還可以包括：對(duì)所述基區(qū)執(zhí)行熱處理工藝。本發(fā)明還提供一種HBT器件。本申請(qǐng)通過(guò)在形成基區(qū)之后的任意一步驟之前，對(duì)基區(qū)執(zhí)行熱處理工藝，可以避免基區(qū)中的P型離子的擴(kuò)散的情況，提高基區(qū)的摻雜濃度，降低基區(qū)電阻，提高特征頻率。 |
