LDMOS器件的源端工藝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111440107.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114188404A 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN114188404A 申請公布日 2022-03-15
分類號 H01L29/08（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王星杰;楊新杰 申請（專利權(quán)）人 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 焦健
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)祖沖之路1399號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種LDMOS器件的源端工藝方法，在襯底或外延表面涂覆光刻膠，然后在LDMOS器件源端打開光刻膠形成源端的注入窗口，對源端進(jìn)行第一次離子注入，在襯底或者外延中形成源區(qū)；然后對源區(qū)光刻膠進(jìn)行部分去除，形成新的源端注入窗口，重新定義出源區(qū)及溝道；在重新形成的源區(qū)窗口的定義下對窗口內(nèi)的多晶硅層進(jìn)行刻蝕，去除窗口內(nèi)的多晶硅層，露出多晶硅層下方的氧化硅層；對源區(qū)窗口內(nèi)進(jìn)行第二次摻雜離子注入。本發(fā)明在高能量注入后，通過再次干法刻蝕少量去膠及多晶硅刻蝕重新定義LDMOS的溝道，以減少高能量注入對LDMOS溝道的影響。