MTP器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111368536.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114188397A 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN114188397A 申請公布日 2022-03-15
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/788（2006.01）I;H01L27/11521（2017.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王樂平;隋建國;尤鴻樸 申請（專利權(quán)）人 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 戴廣志
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)祖沖之路1399號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種MTP器件的制造方法，包括：提供形成有浮柵多晶硅層和ONO側(cè)墻的襯底；形成層間介質(zhì)層。形成層間介質(zhì)層的步驟包括：在浮柵多晶硅層上形成阻擋層和BPSG層；執(zhí)行高溫回流工藝和濕法清洗工藝；在所述BPSG層上形成氧化層。本發(fā)明還提供一種MTP器件。本申請通過形成阻擋層?BPSG層?氧化層結(jié)構(gòu)的層間介質(zhì)層，因所述BPSG層經(jīng)高溫回流工藝之后其良好的填充能力，可以避免因使用HDP工藝導(dǎo)致MTP器件被等離子體轟擊損壞的情況，從而保證了MTP器件可靠性。進(jìn)一步的，因所述阻擋層、所述BPSG層和所述氧化層的三重保護(hù)，避免了所述阻擋層下方的浮柵多晶硅層被損壞的情況，提高了MTP器件的數(shù)據(jù)保存能力。